Broadcom AFBR-S4N66P024M 2×1 NUV-MT光電倍增管陣列

Broadcom/Avago AFBR-S4N66P024M 2×1 NUV-MT矽光電倍增管 (SiPM) 陣列係專為單光子的超靈敏精密測量所設計。AFBR-S4N66P024M提供兩個6 mm × 6 mm SiPM,排列成2×1元件陣列,間距為7 mm。以平鋪多個AFBR-S4N66P024M陣列,能使7 mm間距的SiPM覆蓋更大的面積。

此陣列非常適合偵測低強度脈衝光源,尤其是偵測來自最常見的有機(塑膠)和無機閃爍體材料(例如LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF、LaBr3)的切倫科夫光或閃爍光。此外,此裝置不含鉛且符合RoHS指令。

特點

  • 2×1 SiPM陣列
  • 陣列尺寸為13.54 mm × 6.54 mm
  • 超過65%的高PDE值(420 nm時)
  • 優異的SPTR和CRT
  • 優異的崩潰電壓均勻性
  • 優異的增益均勻性
  • 四面可平鋪,填充係數高
  • 單元間距40 μm × 40 μm²
  • 高透明度環氧樹脂保護層
  • 作業溫度範圍介於0°C至+60°C
  • 符合RoHS指令以及CFM與REACH標準

應用

  • 偵測X光和伽瑪射線
  • 伽瑪射線能譜
  • 安全與保全
  • 核子醫學
  • 正子斷層掃描
  • 生命科學
  • 流式細胞術
  • 螢光-發光測量
  • 時間相關單光子計數
  • 高能物理學
  • 天文物理學

回流焊接圖

性能圖表 - Broadcom AFBR-S4N66P024M 2×1 NUV-MT光電倍增管陣列

方塊圖

結構圖 - Broadcom AFBR-S4N66P024M 2×1 NUV-MT光電倍增管陣列
發佈日期: 2022-07-12 | 更新日期: 2023-10-27