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Cypress FL-L NOR快閃記憶體系列
Cypress FL-L NOR快閃記憶體系列採用65nm製程微影與浮閘技術。FL-L系列透過序列周邊介面(SPI)連接至主機系統。FL-L系列支援傳統SPI單位元(單I/O或SIO)以及可選擇的2位元(雙I/O或DIO)。此外，它支援4位元寬度的四I/O (QIO)與四周邊介面(QPI)指令。FL-L系列採用雙資料速率(DDR)讀取指令，適用於QIO與QPI，可在時脈的兩端傳送位址並讀取資料。此架構提供分頁編程緩衝區，可在一次作業中編程最多256位元。此架構亦提供個別4KB磁區、32KB半區塊、64KB區塊，或整個晶片抹除。FL-L NOR快閃記憶體提供高密度、高彈性及快速效能，適用於各種行動通訊或嵌入式應用。快閃記憶體可為空間、訊號連線及電源有限的系統提供極佳的儲存解決方案。此外，快閃記憶體非常適合程式碼陰影至RAM、直接執行程式碼(XIP)，以及儲存可重新編程的資料。
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產品特色
- 序列周邊介面(SPI)含多重I/O
- 時鐘極性及相模式0與3
- 雙資料速率(DDR)選項
- 四周邊介面(QPI)選項
- 延伸定址：24或32位元位址選項
- 序列指令子集以及針腳相容於S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S及S25FS-S SPI系列
- 多重I/O指令子集以及針腳相容於S25FL-P、S25FL-S及S25FS-S SPI系列
- 讀取
- 指令：一般、快速、雙I/O、四I/O、雙O、四O、DDR四I/O
- 模式：Burst Wrap、連線(XIP)、QPI
- 序列快閃記憶體可發現參數(SFDP)可用於組態資訊
- 程式架構
- 256位元分頁編程緩衝區3.0V FL-L快閃記憶體
- 程式暫停與恢復
- 抹除架構
- 統一4KB磁區抹除
- 統一32KB半區塊抹除
- 統一64KB區塊抹除
- 晶片抹除
- 抹除暫停與恢復
- 10萬次程式抹除週期
- 20年資料保存 (典型值)
- 技術
- 65nm浮閘技術
- 安全功能
- 狀態與組態暫存器保護
- 四個256位元的安全區域，皆位於主要快閃記憶體陣列之外
- 傳統區塊保護：區塊範圍
- 個別與區域保護
- 個別區塊鎖定：揮發性個別磁區/區塊
- 指標區域：非揮發性磁區/區塊範圍
- 電源供應鎖定、密碼，或永久保護安全區域2、3及指標區域
- 單一供應電壓含CMOS I/O
- 2.7V至3.6V
- 溫度範圍
- 工業(–40°C至+85°C)
- 工業Plus (–40°C至+105°C)
- 擴展(–40°C至+125°C)
- 汽車，AEC-Q100 Grade 3 (-40°C至+85°C)
- 汽車，AEC-Q100 Grade 2 (-40°C至+105°C)
- 汽車，AEC-Q100 Grade 1 (-40°C至+125°C)
- 封裝(皆無鉛)
- 8-pin SOIC 208 mil (SOC008) — 僅限S25FL128L
- WSON 5 x 6mm (WND008) — 僅限S25FL128L
- WSON 6 x 8mm (WNG008) — 僅限S25FL256L
- 16-pin SOIC 300 mil (SO3016) — 僅限S25FL256L
- BGA-24 6 x 8mm
- 5 x 5球形(FAB024)尺寸
- 4 x 6球形(FAC024)尺寸
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發佈日期: 2017-01-26
| 更新日期: 2024-04-11
