Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模組
英飛凌科技1200V CoolSiC™模組為具備出色效率與系統彈性等級的碳化矽 (SiC) MOSFET模組。這些模組採用近閾值電路 (NTC) 和PressFIT接點技術。此CoolSiC模組具有高電流密度、同級最佳的切換和傳導損耗以及低電感設計的特點，可提供高頻運作、更高的功率密度，以及經過最佳化的開發週期時間與成本。
特點
- 高電流密度
- 同級最佳的切換與傳導耗損
- 低電感設計
- 低裝置電容
- 含反向恢復電荷的固有二極體
- 整合NTC溫度感測器
- PressFIT接點技術
- 高效率，有助減少散熱需求
- 無閾值導通狀態特性
- 不受溫度影響的切換耗損
- 高頻運作
- 更高的功率密度
- 經過最佳化的開發週期時間與成本
- 符合RoHS標準
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性能圖
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Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs
Optimized to deliver the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.
Infineon Technologies 1200V CoolSiC Generation 5肖特基二極體
可為TO-247提供高達40A順向電流，為TO-220 提供20A，為DPAK提供10A。
發佈日期: 2019-01-07
| 更新日期: 2025-09-30