Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模組
英飛凌科技1200V CoolSiC™模組為具備出色效率與系統彈性等級的碳化矽 (SiC) MOSFET模組。這些模組採用近閾值電路 (NTC) 和PressFIT接點技術。此CoolSiC模組具有高電流密度、同級最佳的切換和傳導損耗以及低電感設計的特點，可提供高頻運作、更高的功率密度，以及經過最佳化的開發週期時間與成本。
特點
- 高電流密度
- 同級最佳的切換與傳導耗損
- 低電感設計
- 低裝置電容
- 含反向恢復電荷的固有二極體
- 整合NTC溫度感測器
- PressFIT接點技術
- 高效率，有助減少散熱需求
- 無閾值導通狀態特性
- 不受溫度影響的切換耗損
- 高頻運作
- 更高的功率密度
- 經過最佳化的開發週期時間與成本
- 符合RoHS標準
規格
- DF23MR12W1M1和DF11MR12W1M1：
- 升壓組態
- Easy 1B組態
- M1技術
- 1200V電壓級
- 尺寸：62.8mm x 33.8mm
- FF8MR12W2M1和FF6MR12W2M1：
- 雙重組態
- Easy 2B外殼
- M1技術
- 1200V電壓級
- 尺寸：62.8mm x 48mm
- F423MR12W1M1P：
- FourPack組態
- Easy 1B組態
- M1技術
- 1200V電壓級
- 尺寸：62.8mm x 33.8mm
- FF11MR12W1M1、FF45MR12W1M1和FF23MR12W1M1：
- 雙重組態
- Easy 1B外殼
- M1技術
- 1200V電壓級
- 尺寸：62.8mm x 33.8mm
- F3L11MR12W2M1：
- 3層式組態
- Easy 2B組態
- M1技術
- 1200V電壓級
- 尺寸：42.5mm x 51mm
- FS45MR12W1M1：
- SixPACK組態
- Easy 1B外殼
- M1技術
- 1200V電壓級
- 尺寸：62.8mm x 33.8mm
視訊
線路圖
性能圖
相關產品
Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs
Optimized to deliver the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.
Infineon Technologies 1200V CoolSiC Generation 5肖特基二極體
可為TO-247提供高達40A順向電流，為TO-220 提供20A，為DPAK提供10A。
發佈日期: 2019-01-07
| 更新日期: 2023-05-02