Infineon Technologies 2ED210x低電流650V半橋閘極驅動器
Infineon 2ED210x低電流650V半橋閘極驅動器配備整合式靴帶式二極體，採用DSO-8或DSO-14封裝。2ED210x低電流0.7A驅動器是基於絕緣體上矽 (SOI) 技術。SOI技術是一種高電壓、電平偏移技術，具有獨特、可衡量以及業內最佳的優勢。其中包括整合式靴帶式二極體 (BSD) 及業界最佳的穩健性，可防止負瞬態電壓尖峰。該技術也可以降低電平轉換功率損耗，從而最大限度地降低裝置開關功耗。先進的流程支持採用具有技術增強優勢的單片高壓及低壓電路結構。
特點
- 操作電壓（VS節點）高達+650V
- 100V負VS瞬態抑制
- 整合式超快、低電阻靴帶式二極體，可減低BOM成本
- 用於自舉操作的浮動通道
- 最大電源電壓：25V
- 雙通道獨立電壓過低鎖定 (UVLO)
- 傳播延遲：200ns
- HIN、LIN邏輯輸入
- VS引腳上的邏輯運行電壓高達–11V
- 輸入端負電壓公差為-5V
- 浮動通道可用於驅動採用高側配置的N溝道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT
應用
- 馬達控制及驅動器
- 輕型電動車 (LEV)
- 遙控直升機及無人機
- 開關模式電源 (SMPS)
- 不間斷電源 (UPS)
- 電動工具
- 服務型機械人
- 家用電器
- LED照明
- EV充電
- 電池化成
影片
結構圖
典型應用
開發工具
Infineon Technologies EVAL-M1-2ED2106S閘極驅動器評估板
用於2ED2106S06F 650 V高和低側閘極驅動器的演示和開發平台。
發佈日期: 2019-12-03
| 更新日期: 2024-02-12