SSI可透過絕緣屏障提供強大的能量傳輸,以驅動MOS控制的功率電晶體,例如CoolMOS™、OptiMOS™、CoolSIC™或TrenchStop™ IGBT。固態隔離器系列的輸出側不需要專用的電壓供應器驅動功率電晶體的閘極。輸出側提供進階控制功能,例如快速開啟、快速關斷、過電流保護及過熱保護,可輕鬆/安全地為各種應用建立固態繼電器。此系列產品包括iSSI30R12H,專為CoolMOS™ S7 T-Sensing功率MOSFET所設計。此系列產品的其他部分可搭配外部PTC電阻器使用。
特點
- 採用英飛凌的充電式變壓器技術的固態隔離器
- 閘極驅動不需要隔離式閘極偏壓供電
- 適用於CoolMOS、OptiMOS及TRENCHSTOP IGBT
- 低功率、大輸入電壓範圍2.6V至3.5V (內部鉗位)
- 高阻抗、CMOS輸入(緩衝版本)
- 最高18V的輸出電壓,無需為強大的閘極驅動提供串聯或並聯組態
- 高輸出峰值電流
- 185µA (直接驅動版本)
- 400mA (緩衝版本)
- 快速開/關,可提供安全開關的SOA運作
- 最高5.7kVRMS 絕緣
- 溫度感測器與電流感測器保護輸入
- 在發生故障(過電流或過熱)時,會被栓鎖
- 動態米勒鉗位保護
- 寬體封裝,具有高爬電距離和電氣間隙,符合UL 1577(計劃),並符合IEC 60747-17(計劃)增強隔離
- 將散熱器的需求降至最低
- 可避免雜散的接點開啟
應用
- 固態繼電器AC與DC應用
- 系統纜線連接
- 可程式邏輯控制、工業自動化及控制
- 智慧大樓與家用自動化系統(熱敏電阻、照明、加熱控制)
- 儀器設備
規格
- ±1200V最大輸入至輸出偏移電壓
- -10V至4.25V最大輸入供應電壓
- -10V至15V最大輸入邏輯電壓
- 0mA至120mA最大輸入供應電流
- 200mW最大功耗輸入
- 4.5mW最大功耗輸出
- 2kHz最大切換頻率
- 200V/ns最大共模瞬態抗擾性
- -40°C至+125°C環境溫度範圍
- -40°C至+150°C接點溫度範圍
- ESD耐受性
- 2kV最低人體模型(HBM)
- TC 1000充電式裝置模型(CDM)符合ANSI/ESDA/JEDEC-JEDEC-JEDEC-JS-002-2014 (TC =依據AEC-Q100-011 Rev D)的最高測試條件
影片
發佈日期: 2024-03-11
| 更新日期: 2025-10-31

