IXYS IX4352NEAU低側閘極驅動器

IXYS IX4352NEAU低側閘極驅動器專為驅動SiC MOSFET和高功率IGBT而設計。這些驅動器提供獨立的9A Source輸出和Sink輸出,並允許量製導通和關閉時間,同時將開關損耗降到了最低。IX4352NEAU閘極驅動器整合有內部負電荷調節器,該調節器提供使用者可選擇的閘極驅動的負偏置。這些驅動器具有去飽和偵測電路,該電路檢測SiC MOSFET的過電流狀況。IX4352NEAU閘極驅動器通過了AEC-Q100等級1的認證,採用增強了散熱的16腳窄SOIC封裝。典型應用包括車載充電器、DC-DC轉換器、電動車輛充電站、電機控制器和電源逆變器。

特點

  • 獨立的9A峰值Source輸出和Sink輸出
  • 通過AEC-Q100認證
  • VDD - VSS高達35V工作電壓範圍
  • ±2kV人體模型 (HBM),ESD等級2級
  • 內部電荷泵調節器提供可選擇的閘極驅動負偏置
  • 軟關斷Sink型驅動器進行去飽和檢測
  • 相容TTL和CMOS輸入
  • 低電壓鎖定 (UVLO)
  • 過熱關機
  • 開漏FAULT輸出
  • -40°C至125°C作業溫度範圍

應用

  • 車載充電器
  • DC/DC轉換器
  • 電動車輛充電站
  • 電機控制器
  • 電源逆變器

影片

典型應用電路圖

應用電路圖 - IXYS IX4352NEAU低側閘極驅動器

機械圖表

機械製圖 - IXYS IX4352NEAU低側閘極驅動器
發佈日期: 2025-08-28 | 更新日期: 2025-12-19