IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET是一款工業級單開關器件，具有良好的功率循環特性、非常快速且功耗低的開關行爲。此MOSFET具有導通損耗低、閘極驅動功率需求低及熱管理需求低的特點，並針對閘極控制進行了優化。IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET適用於高速工業開關模式電源供應器。此SiC MOSFET非常適合太陽能逆變器、開關模式電源供應器、UPS、馬達驅動器、DC/DC轉換器、電動車充電基礎設施和感應加熱。
特點
- 1200V漏-源電壓
- 30mΩ漏-源導通電阻RDS(on)
- -3/+15至18V閘極驅動的SiC MOSFET技術
- 3000pF低輸入電容Ciss
- Tvj = +175°C最大虛擬結溫
- 高阻斷電壓，低導通電阻
- 高速開關，低電容
- 超快內建體二極體，Trr = 54.8ns
- 開爾文源極連接
- 潮濕敏感度等級1 (MSL 1) 評級
- Tc = 25°C時總功率耗散395W
應用
- 光伏逆變器
- 開關模式電源供應器
- UPS
- 馬達驅動器
- DC/DC轉換器
- 電動車充電基礎設施
- 感應加熱
尺寸圖
相關SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.
發佈日期: 2025-02-28
| 更新日期: 2026-04-13