NXP Semiconductors MRFE6VP6 50V RF LDMOS功率電晶體

Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25H及MRFE6VP6300H 50V RF LDMOS功率電晶體是專為高電壓駐波比(VSWR)的應用而設。MRFE6VP61K25H提供1250W的輸出功率，故此非常適合環境苛刻的應用。Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25H RF LDMOS功率電晶體獲特別強化的耐用性，故此設計人員可毋須如過往般額外使用外接電路，從而在降低整體系統成本之餘，又能提升系統表現。MRFE6VP61K25H專為在高度錯配的應用中支持嚴格的操作環境，例如等離子產生器、CO2激光以及MRI功率放大器。Freescale MRFE6VP6300H 50V RF LDMOS功率電晶體設計為在界乎1.8至600 MHz頻率的應用中操作，並特別調較為適合於抗阻錯配的情況下使用，例如CO2激光、等離子產生器以及MRI掃描器。MRFE6VP6300H能夠將300 W CW全額定輸出功率傳送到65:1電壓駐波比(VSWR)的負載，是首款達到此效能的50V LDMOS電晶體。