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Fairchild Semiconductor FDMS86181屏蔽型閘極PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor FDMS86181是一款100V N通道MV MOSFET，採用PowerTrench®製程開發，其中整合了屏蔽型閘極技術。FDMS86181 MOSFET可將通態電阻(RDSON)與反向恢復電荷(Qrr)降至最低，實現優異的切換效能與效率。FDMS86181具備低閘極電荷(QG)、低反向恢復電荷(Qrr)及品質因數(FOM)，可在同步整流應用達到快速切換目的。FDMS86181有極低且接近零的電壓過衝，可減少電壓振鈴並為需要額定100V的MOSFET應用降低EMI，這類應用包括電源供應器及馬達驅動器。另外，FDMS86181的功率密度提升，可提供更大的MOSFET降額幅度。

FDMS86181 MOSFET已100%通過UIL測試，並採用MSL1堅固封裝設計。

即將推出！其他電壓與封裝選項。