onsemi 1200V SiC MOSFET

安森美 (onsemi) 1200V SiC MOSFET採用全新技術，與矽裝置相比，可提供出色的開關性能和更高的可靠性。這些MOSFET可提供低導通電阻，以確保低電容和閘極電荷。1200V SiC MOSFET可實現如下系統優勢：提高系統效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸。這些MOSFET具有阻斷電壓、高速開關、低電容的特點，並可在-55°C至175°C溫度範圍運行。1200 V SiC MOSFET可提供汽車級（符合AEC-Q101）部件，並符合RoHS規定。這些MOSFET最適用於升壓逆變器、充電站、直流-直流逆變器、直流-直流轉換器、車載充電器 (OBC)、電機控制、工業電源及伺服器電源。