返回至onsemi

onsemi NVT201xN0 M2 SiC N通道MOSFET

與現有Si技術相比，安森美 (onsemi) NVT201xN0 M2 SiC N通道MOSFET可提供更高的電壓運作、更寬的溫度範圍，以及更高的切換頻率。這些MOSFET具有低有效輸出電容和超低閘極電荷，從而實現更低的切換損耗和更高的切換速度能力。安森美 (onsemi) NVT201xN0 M2 SiC N通道MOSFET通過100% UIS測試，並符合AEC-Q101標準。

特點

  • 低有效輸出電容
  • 超低閘極電荷
  • 100% UIS測試
  • 符合AEC-Q101標準
  • 無鹵素且符合RoHS標準（適用7a豁免），2LI無鉛（二級互連）

應用

  • 汽車車載/非車載充電器
  • 電動車 (EV) 與混合動力車 (HEV) 用DC-DC轉換器
  • SMPS、太陽能逆變器、UPS、儲能、EV充電基礎設施

規格

  • 汲極至源極導通電阻 [RDS(on)]
    • NVT2012N065M2：18mΩ（典型值，VGS = 18V時）
    • NVT2016N090M2：23mΩ（典型值，VGS = 18V時）
  • 汲極至源極電壓 (VDSS)
    • NVT2012N065M2：650V
    • NVT2016N090M2：900V
  • 連續汲極電流 (ID) (TC = +25°C)
    • NVT2012N065M2：180A
    • NVT2016N090M2：148A
  • 功率耗散 (PD) (TC = 25°C)
    • NVT2012N065M2：375W
    • NVT2016N090M2：789W
  • 脈衝汲極電流 (IDM)（TC = +25°C，tp = 100µs）
    • NVT2012N065M2：482A
    • NVT2016N090M2：424A
  • 輸入電容 (CISS)
    • NVT2012N065M2：5389pF（VDS = 325V，VGS = 0V，f = 1MHz）
    • NVT2016N090M2：5340pF（VDS = 450V，VGS = 0V，f = 1MHz）
  • 輸出電容 (COSS)
    • NVT2012N065M2：431pF（VDS = 325V，VGS = 0V，f = 1MHz）
    • NVT2016N090M2：310pF（VDS = 450V，VGS = 0V，f = 1MHz）
  • 總閘極電荷 [QG(TOT)]
    • NVT2012N065M2：256nC（VDS = 400V，ID = 40A，VGS = -5V/+18V）
    • NVT2016N090M2：250nC（VDS = 425V，ID = 60A，VGS = -5V/+18V）

其他資源

電路和標記圖

電路圖 - onsemi NVT201xN0 M2 SiC N通道MOSFET
發佈日期: 2025-11-12 | 更新日期: 2026-04-21