onsemi NZ8P齊納保護二極體

安森美 (onsemi) NZ8P齊納保護二極體旨在保護敏感電子元件免受ESD和瞬態電壓事件的影響。NZ8P二極體具有低箝位電壓和快速反應時間,使得它們非常適合用於高速數據線和低電壓應用。憑藉3.6V至48.5V的擊穿電壓、1μA(典型值)的最大反向泄漏電流,NZ8P能提供可靠的過電壓保護卻不影響信號完整性。該二極體採用緊湊的X2DFNW2表面黏著封裝,有利於空間受限的設計和自動組裝工藝。安森美NZ8P元件符合IEC 61000-4-2的ESD保護標準,非常適合用在可攜式設備、通訊設備以及其他需要強大且高效電路保護的消費類電子產品中。

特點

  • 完整的工作電壓選項
  • 高ESD等級
  • 可潤濕側翼的X2DFNW2封裝,適於最佳的自動光學檢驗 (AOI) 方法
  • SZ前綴型號適合汽車和其他需要現場變更和控制變更特別要求的應用;通過AEC-Q101認證,支持PPAP
  • 無鉛、無鹵素/無BFR,符合RoHS標準

應用

  • 汽車ECU
  • 車載網路 (IVN)
  • 電壓敏感的電路

規格

  • 3.3V至42V工作峰值反向電壓範圍
  • 3.6V至48.5V擊穿電壓範圍
  • 100nA至5000nA最大反向泄漏電流範圍
  • 3.0A至8.0A最大反向峰值脈衝電流範圍
  • 5.5V至60V最大箝位電壓範圍
  • 12pF至109pF典型結電容範圍
  • ±30kV最大ESD保護
  • -55°C至+150°C結溫範圍
  • +260°C最大鉛焊料溫度
     

示意圖

電路圖 - onsemi NZ8P齊納保護二極體
發佈日期: 2025-11-04 | 更新日期: 2025-12-10