onsemi Trench8 MOSFET
安森美半導體Trench8 MOSFET具有低最大導通電阻(RDS(ON)、超低柵極電荷(Qg)和低(Qg) x RDS(ON)，即功率轉換應用中使用的MOSFET的關鍵品質因數 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基於T6技術的優化開關性能，與Trench6系列相比，QG和Qoss降低了35%至40%。
特點
- 提供符合AEC-Q101標準且具有PPAP功能的選項
- 優化設計，在最大程度上減少傳導和開關損耗
- 優化封裝，在最大程度上減少寄生電感
- 優化材料以改善熱性能
- 25V至80V漏-源擊穿電壓範圍(VDS)
- 11.6A至351A連續漏極電流範圍(ID)
- 0.7mΩ至55mΩ漏-源導通電阻範圍(RDS(ON) )
- ±20V柵源電壓(VGS)
- 1.1V至4.0V柵源閾值電壓範圍(VGS(TH))
- 4.7nC至16nC柵極電荷範圍(Qg)
- 功率消耗範圍(PD)：860mW至311W
- 封裝選項：
- DFN-5, DFN-8, DFNW-8, H-PSOF-8, PQFN-8, SO-8, SO-8FL, SO-FL-8L, WDFN-6, WDFN-8, WQFN-12
- 提供可濕潤側翼封裝選項
- 操作溫度與結溫範圍
- 工業級：-55°C至+125°C
- 汽車級：-55°C至+150°C
- 無鉛並符合RoHS規定
應用
- 汽車（僅限符合AEC-Q101標準的選項）
- EV/HEV充電器（僅限符合AEC-Q101標準的選項）
- 高性能直流-直流轉換器
- 系統電壓軌
- 網通及電訊
- 伺服器
- 負載點(POL)
- 電機驅動器
影片
發佈日期: 2021-04-12
| 更新日期: 2025-03-04