STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET
STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET結合低閘極電荷(Qg)與優化電容尺寸，為電源轉換應用中的新拓撲結構提供高效率。超級接面MDmesh M6系列提供極高效性能，為高頻率運行帶來更高電源密度及低閘極電荷。M6系列MOSFET具有600至700V的擊穿電壓，並具有豐富的封裝選項，包括TO無鉛(TO-LL)封裝解決方案，可實現高效的熱管理。這些裝置具有適用於工業應用的多種運行電壓，包括充電器、適配器、銀盒模組、LED照明、電訊、伺服器及太陽能。
特點
- 最佳化適合軟啟動的閾值電壓
- 良好的切換行為，適合硬切換與軟切換
- 超高效率效能，能提高功率密度
- 低閘極電荷，適合高頻作業
- 最佳化的電容曲線和閾值電壓，專為提升電源轉換應用中新拓撲的效率所設計
- 廣大的產品組合
應用
- 充電器
- 轉接器
- 電源供應器模組
- LED照明
- 電信
- 伺服器
- 太陽能逆變器
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發佈日期: 2019-01-09
| 更新日期: 2026-01-21