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Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET功率MOSFET

Texas Instruments FemtoFET功率MOSFET具備超小體積（0402外殼尺寸）和超低電阻（比同級競爭產品少70%）。這些MOSFET具有超低的Qg、Qgd規格，還有最佳的ESD額定值。其採用平面柵格陣列 (LGA) 封裝，可將晶片內容最大化，適用於空間受限的應用。這些功率MOSFET擁有低功率消耗和低切換耗損，使輕負載效能更為出色。這些裝置的典型應用包括手持裝置、行動裝置、負載切換、一般用途切換和電池應用。

產品特色
  • 超小體積（0402外殼尺寸）
    • 1.0mm x 0.6mm
    • 業界標準封裝尺寸
    • 低矮外形高度 - >0.35mm
  • 超低電阻，比同級競爭產品少70%
  • 超低Qg和Qgd
  • 平面柵格陣列 (LGA) 封裝，可將晶片內容最大化
  • 最佳的ESD額定值
  • 適合空間受限的應用，例如行動電話和平板電腦
  • 方便的第二來源
  • 支援薄型Z厚度產品
  • 低功率消耗

  • 低切換損耗；改善輕負載效能
  • 支援2安培以上的Id電流，為效能最接近的競爭產品的兩倍
  • 建構穩定可靠

應用
  • 手持裝置和行動裝置應用
  • 專為負載切換應用最佳化
  • 專為一般用途切換應用最佳化
  • 電池應用
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  • Texas Instruments
發佈日期: 2015-03-06 | 更新日期: 2022-03-11