Order Texas Instruments ISO5451/ISO5451-Q1 Isolated IGBT/MOSFET Gate Driver

ISO5451 Datasheet
ISO5451-Q1 Datasheet

Texas Instruments ISO5451/ISO5451-Q1隔離
IGBT/MOSFET閘極驅動器

Texas Instruments ISO5451/ISO5451-Q1隔離IGBT/MOSFET閘極驅動器是一款適用於IGBT和MOSFET的4.25kVRMS基本型隔離閘極驅動器，具備2.5A源極和5A汲極電流。輸入端可用3V至5.5V的單一供電運作，輸出端可供應15V(最小)至30V(最大)的電壓範圍。兩個輔助CMOS輸入用於控制閘極驅動器的輸出狀態。極短的76ns傳播時間能確保準確控制輸出級。內部的去飽和故障偵測可判別IGBT是否為過載狀態。去飽合啟動時，故障訊號會穿越隔離障礙傳送，拉低輸入端的FLT輸出，並阻擋隔離器輸入。FLT輸出狀態會鎖住，接著可用RST輸入的低作用脈衝重置。運作的閘極驅動器是否準備就緒，將由監控輸入端與輸出供應端的兩個欠壓鎖定電路進行控制。假如任一端供電不足，RDY輸出便會降低，正常時輸出維持較高。ISO5451-Q1裝置符合AEC-Q100汽車應用標準。

產品特色

2.5A尖峰源極電流和5A尖峰汲極電流
短傳播延遲：76ns(典型值)，110ns(最大值)
2A主動式米勒箝位
輸出短路箝位
去飽和偵測的故障警報透過FLT傳送，並透過RST重置
輸入與輸出欠壓鎖定(UVLO)，Ready (RDY)腳位顯示
低供電或浮動輸入時，主動式輸出下拉和預設低輸出
3V至5.5V輸入供應電壓
15V至30V輸出驅動器供應電壓
CMOS相容輸入
20ns內抑制輸入脈衝和雜訊瞬態
50kV/µs最小值和100kV/µs典型值
V_CM = 1500V下具備共模瞬態抗擾性(CMTI)
作業溫度：-40°C至125°C環境溫度

安全和法規認證
- 6000V_PK V_IOTM和1420V_PK V_IORM基本隔離，符合DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12標準
- 4250V_RMS隔離可達1分鐘，符合UL 1577標準
- CSA元件認可通知5A、IEC 60950-1和IEC 61010-1終端設備標準
- 符合GB4943.1-2011標準，取得CQC認證
- 計劃完成所有認證

應用

隔離IGBT和MOSFET驅動器適用以下設備：
- 工業馬達控制驅動器
- 工業電源供應器
- 太陽能逆變器
- HEV與EV功率模組
- 感應加熱

ISO5851EVM評估模組(EVM)

Texas Instruments ISO5851EVM評估模組(EVM)搭載ISO5851加強隔離閘極驅動器裝置，可讓設計人員用於評估裝置的AC和DC效能。評估模組已預先設定好1nF負載，也可由使用者自行安裝TO-247或TO-220標準封裝的IGBT。ISO5851為5.7kVRMS的加強隔離IGBT閘極驅動器，具備2.5A源極和5A汲極電流，其初級端可用3V至5.5V的單一供電運作，輸出端可供應最小15V至最大30V的電壓範圍。

產品特色