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Texas Instruments ISO5452/ISO5452-Q1隔離
IGBT閘極驅動器
Texas Instruments ISO5452/ISO5452-Q1隔離IGBT閘極驅動器是一款5.7kVRMS加強隔離閘極驅動器，適用於IGBT和MOSFET，具備分離輸出以及2.5A源極和5A汲極電流。輸入端可用2.25V至5.5V的單一供電運作，輸出端可供應最小15V至最大30V的電壓範圍。兩個輔助CMOS輸入用於控制閘極驅動器的輸出狀態。極短的76ns傳播時間確保準確控制輸出級。其典型應用包括工業馬達控制驅動器和電源供應器、太陽能逆變器、HEV與EV電源模組、感應加熱等採用的隔離IGBT和MOSFET驅動器。ISO5452-Q1裝置符合AEC-Q100汽車應用標準。
產品特色
- 50kV/μs最小值和100kV/µs典型共模瞬態抗擾性(CMTI)，於VCM = 1500V時
- 隔離輸出，可提供2.5A尖峰源極和5A尖峰汲極電流
- 短傳播延遲：76ns(典型值)，110ns(最大值)
- 2A主動式米勒箝位
- 輸出短路箝位
- 短路軟關閉(STO)
- 去飽和偵測的故障警報透過FLT傳送，並透過RST重置
- 輸入與輸出欠壓鎖定(UVLO)，Ready (RDY)腳位顯示
- 低供電或浮動輸入時，主動式輸出下拉和預設低輸出
- 2.25V至5.5V輸入供應電壓
- 15V至30V輸出驅動器供應電壓
- CMOS相容輸入
- 20ns內抑制輸入脈衝和雜訊瞬態
- 作業溫度：-40°C至125°C環境溫度
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- 突波抗擾性10000VPK(符合IEC 61000-4-5標準)
- 安全和法規認證
- 8000VPK VIOTM和1420VPK VIORM加強隔離，符合DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12標準
- 5700VRMS隔離可達1分鐘，符合UL 1577標準
- CSA元件認可通知5A，符合IEC 60950-1、IEC 60601-1和IEC 61010-1終端設備標準
- 符合GB4943.1-2011標準，取得CQC認證
- 計劃完成所有認證
應用
- 隔離IGBT和MOSFET驅動器適用於：
- 工業馬達控制驅動器
- 工業電源供應器
- 太陽能逆變器
- HEV與EV功率模組
- 感應加熱
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ISO5852SEVM加強隔離IGBT閘極驅動器EVM
Texas Instruments ISO5852SEVM加強隔離IGBT閘極驅動器評估模組(EVM)專門設計用來協助評估ISO5852S的功能。評估模組可讓設計人員評估裝置的AC和DC效能，使用預先插入的1nF負載，或使用者自行安裝的IGBT，IGBT可用標準TO-247或TO-220封裝。
產品特色
- 具備2.5A源極和5A汲極電流、5.7kVRMS的加強隔離IGBT閘極驅動器
- 極短的傳播時間，確保準確控制輸出級
- 輸入端可用2.25V至5.5V的單一供電運作
- 輸出端可供應最小15V至最大30V的電壓範圍
- 2A米勒箝位、輸出短路箝位、去飽和故障警報、輸入與輸出欠壓鎖定，含Ready腳位顯示
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- 隔離輸出、主動式輸出下拉和預設低輸出狀態
- DESAT時偵測閘極驅動器的低供電或浮動輸入
- CMOS相容輸入
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功能方塊圖
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發佈日期: 2015-12-02
| 更新日期: 2025-08-01
ISO5452 Datasheet
三相逆變器系統的隔離IGBT閘極驅動器評估平台
臺灣