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Texas Instruments ISO5852S/ISO5852S-Q1 IGBT
MOSFET閘極驅動器
Texas Instruments ISO5852S/ISO5852S-Q1 IGBT MOSFET閘極驅動器是一款5.7kVRMS加強隔離閘極驅動器，適用於IGBT和MOSFET，具備分離輸出以及2.5A源極和5A汲極電流。輸入端可用2.25V至5.5V的單一供電運作，輸出端可供應最小15V至最大30V的電壓範圍。兩個輔助CMOS輸入用於控制閘極驅動器的輸出狀態。極短的76ns傳播時間確保準確控制輸出級。其典型應用包含工業馬達控制驅動器和電源供應器、太陽能逆變器、HEV與EV電源模組、感應加熱等採用的隔離IGBT和MOSFET驅動器。ISO5852S-Q1裝置符合AEC-Q100汽車應用標準。
產品特色
- VCM = 1500V下，最小共模瞬態抗擾性 (CMTI) 為100kV/µs
- 分離輸出，可提供2.5A尖峰源極和5A尖峰汲極電流
- 短傳播延遲：76ns（典型值），110ns（最大值）
- 2A主動式米勒箝位
- 輸出短路箝位
- 短路軟關閉 (STO)
- 去飽和偵測的故障警報透過FLT傳送，並透過RST重置
- 輸入與輸出欠壓鎖定 (UVLO)，Ready (RDY) 腳位顯示
- 主動式輸出下拉特性，在低供電或浮動輸入時預設輸出低電平
- 2.25V至5.5V輸入供應電壓
- 15V至30V輸出驅動器供應電壓
- CMOS相容輸入
- 20ns內抑制輸入脈衝和雜訊瞬態
- 作業溫度：-40°C至125°C環境溫度
- 突波抗擾性12800-VPK（符合IEC 61000-4-5標準）
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- 安全和法規認證
- 8000-VPK VIOTM和2121-VPK VIORM強化隔離，符合DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12標準
- 5700-VRMS隔離可達1分鐘，符合UL 1577標準
- CSA元件認可通知5A，IEC 60950-1、IEC 60601-1和IEC 61010-1終端設備標準
- 符合GB4943.1-2011標準，取得CQC認證
- 計劃完成所有認證
應用
- 以下設備內的隔離IGBT和MOSFET驅動器：
- 工業馬達控制驅動器
- 工業電源供應器
- 太陽能逆變器
- HEV與EV功率模組
- 感應加熱
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ISO5852SEVM加強隔離IGBT閘極驅動器EVM
Texas Instruments ISO5852SEVM加強隔離IGBT閘極驅動器評估模組 (EVM) 專為協助評估ISO5852S的功能所設計。評估模組可讓設計人員評估裝置的AC和DC效能，使用預先插入的1nF負載，或使用者自行安裝的IGBT，IGBT可用標準TO-247或TO-220封裝。
產品特色
- 具備2.5A源極和5A汲極電流的加強隔離IGBT閘極驅動器
- 極短的傳播時間，確保準確控制輸出級
- 輸入端可用2.25V至5.5V的單一供電運作
- 輸出端可供應最小15V至最大30V的電壓範圍
- 2A米勒箝位、輸出短路箝位、去飽和故障警報、輸入與輸出欠壓鎖定，含Ready腳位顯示
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- 分離輸出、主動式輸出下拉和預設低輸出狀態
- DESAT時偵測閘極驅動器的低供電或浮動輸入
- CMOS相容輸入
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功能方塊圖
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發佈日期: 2015-11-19
| 更新日期: 2025-06-06
ISO5852S Datasheet
臺灣