Toshiba TKx矽N通道MOSFET
TKx矽N通道MOSFET提供U-MOSX-H和DTMOSVI型號，具備卓越的效能特性。這些MOSFET的設計具有快速的反向恢復時間，透過減少關斷和導通狀態之間的延遲，提高了高速開關應用中的效率。低漏-源導通電阻 [RDS(on)] 可將功耗降至最低，並改善了散熱管理，使其成為需要處理高電流且能耗低的應用中的理想選擇。
特點
- U-MOSX-H和DTMOSVI型號
- 快速反向恢復時間
- U-MOSX-H的典型範圍為40ns至52ns
- DTMOSVI的典型值為135ns
- 低漏-源導通電阻
- U-MOSX-H的典型範圍為4.1mΩ至8mΩ
- DTMOSVI的典型值為0.052Ω
- 增強模式範圍
- U-MOSX-H：3.1V至4.5V（VDS = 10V，ID = 1.1mA 至 2.2mA）
- DTMOSVI：3.5V至4.5V (VDS = 10V，ID = 1.69mA)
- 具有較低電容的高速開關特性 (DTMOSVI)
- 典型反向恢復電荷範圍 (U-MOSX-H) 為32nC至55nC
- 典型閘極電荷範圍 (U-MOSX-H) 為17nC至26nC
- 最大漏電流為10µA (U-MOSX-H)
應用
- 開關電壓穩壓器
- 高效DC-DC轉換器 (U-MOSX-H)
- 馬達驅動器 (U-MOSX-H)
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| 零件編號 | 規格書 | 封裝/外殼 | Vds - 漏-源擊穿電壓 | Id - C連續漏極電流 | Rds On - 漏-源電阻 | Pd - 功率消耗 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TK095U65Z5,RQ |  |
TOLL-9 | 650 V | 29 A | 95 mOhms | 230 W |
| TK115U65Z5,RQ | |
TOLL-9 | 650 V | 24 A | 115 mOhms | 190 W |
| TK155U60Z1,RQ | |
TOLL-9 | 600 V | 17 A | 155 mOhms | 130 W |
| TK080U60Z1,RQ | |
TOLL-9 | 600 V | 30 A | 80 mOhms | 211 W |
| TK099U60Z1,RQ | |
TOLL-9 | 600 V | 25 A | 99 mOhms | 176 W |
| TK125U60Z1,RQ | |
TOLL-9 | 600 V | 20 A | 125 mOhms | 150 W |
| TK063N60Z1,S1F | |
TO-247-3 | 600 V | 37 A | 63 mOhms | 242 W |
| TK068N65Z5,S1F | |
TO-247-3 | 650 V | 37 A | 68 mOhms | 270 W |
| TK4R9E15Q5,S1X | |
TO-220-3 | 150 V | 120 A | 4.9 mOhms | 300 W |
| TK5R0A15Q5,S4X | |
TO-220SIS-3 | 150 V | 76 A | 5 mOhms | 53 W |
發佈日期: 2024-09-10
| 更新日期: 2025-08-02