Vishay MGDT微型閘極驅動平面變壓器

Vishay MGDT微型閘極驅動平面變壓器採用表面黏著型或穿孔型端子，與傳統的骨架和環形繞線技術相比，佔板面積減少了40%，高度降低了33%。這些變壓器可在最高1200V的匯流排上驅動MOSFET/IGBT，其設計可提供優異的上升時間、過衝和峰值電流特性。MGDT變壓器採用低矮的平面式封裝，適用於多頻段作業。這些變壓器的驅動器到閘極之間僅有8mm的最小漏電距離和間隙，可承受很高的瞬態電壓。這些MGDT變壓器的LM和SM版本符合RoHS標準。MGDT變壓器提供穿孔型和表面黏著型端子。這些音訊與訊號變壓器可在-55°C至125°C的溫度範圍下作業，存放溫度介於-55°C至130°C。