Vishay / Siliconix SQJ汽車用MOSFET
Vishay/Siliconix SQJ汽車用MOSFET為TrenchFET® Gen IV N通道40 VDS功率MOSFET。這些MOSFET符合AEC-Q101標準，100%通过Rg和未壓接電感性開關(UIS)測試，低於1 Qgd/Qgs比率，切換特性經過最佳化。SQJ汽車用MOSFET具有非常低的RDS(on)，可在-55°C至175°C溫度範圍內作業。這些汽車級MOSFET採用PowerPAK® SO-8L封裝，分為單/雙組態。裝置的典型應用包括汽車、引擎管理、馬達驅動器和致動器，以及電池管理。
特點
- TrenchFET® Gen IV功率MOSFET
- 符合AEC-Q101標準
- 100%通過Rg與UIS測試
- Qgd/Qgs比率 <1，切換特性經過最佳化
- 接點接面與存放溫度範圍：-55°C至175°C
- 採用PowerPAK® SO-8L封裝，分為單/雙組態
應用
- 汽車
- 電池管理
- 引擎管理
- 馬達驅動器和致動器
相關MOSFET
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相關解決方案
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| 零件編號 | 規格書 | 通道數 | Vds - 漏-源擊穿電壓 | Id - C連續漏極電流 | Rds On - 漏-源電阻 | Qg - 閘極充電 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SQJ131ELP-T1_GE3 |  |
1 Channel | 30 V | 300 A | 3 mOhms | 207 nC |
| SQJ409EP-T2_GE3 | |
1 Channel | 40 V | 60 A | 7 mOhms | 170 nC |
| SQJ410EP-T1_GE3 | |
1 Channel | 30 V | 32 A | 3.5 mOhms | 110 nC |
| SQJ431EP-T1_GE3 | |
1 Channel | 200 V | 12 A | 213 mOhms | 71 nC |
| SQJ140EP-T1_GE3 | |
1 Channel | 40 V | 266 A | 1.7 mOhms | 49.2 nC |
| SQJ158EP-T1_GE3 | |
1 Channel | 60 V | 23 A | 27.2 mOhms | 30 nC |
| SQJ464EP-T1_GE3 | |
1 Channel | 60 V | 32 A | 14 mOhms | 44 nC |
| SQJ479EP-T1_BE3 | |
1 Channel | 80 V | 32 A | 33 mOhms | 90 nC |
| SQJ500AEP-T1_BE3 | |
2 Channel | 40 V | 30 A | 9.2 mOhms, 27 mOhms | 25.5 nC, 30.2 nC |
| SQJ868EP-T1_GE3 | |
1 Channel | 40 V | 58 A | 6.2 mOhms | 55 nC |
發佈日期: 2020-10-05
| 更新日期: 2024-12-13