Wolfspeed SiC MOSFETs C3M™（採用TOLL封裝）
Wolfspeed SiC MOSFETs C3M™採用TOLL封裝，具備比標準矽MOSFET更低的導通狀態電阻溫度依賴性。這些MOSFET具備優越的切換速度和低傳導耗損，是下一代電源供應器達成高功率高效率的關鍵。SiC MOSFET針對高效能電力電子應用最佳化，適合的應用包括企業、伺服器、電信電源供應器、電動車充電、能源儲存和電池管理系統。
採用TOLL封裝的Wolfspeed SiC MOSFET C3M可實作TOLL封裝的小巧外型尺寸、低耗損和高功耗能力，實現高功率密度設計。
特點
- 更大的後方金屬接片可降低裝置溫度
- 相較於標準TO-263-7L封裝，高度與尺寸更小
- 相較於標準TO-263-7L封裝，源極電感更低
- 適用於較高切換頻率應用（實現高功率密度）
- 最小漏電距離：3.5 mm（汲極至源極）
相關產品
Wolfspeed 650V碳化矽功率MOSFET
附帶獨立驅動器源引腳的優化封裝，採用C3M SiC MOSFET技術。
TOLL與D2PAK
目標應用
發佈日期: 2022-10-13
| 更新日期: 2024-10-22