PowerTrench T10 MOSFET的優勢

  • 同級最佳的RDS(on)
  • 降低振鈴、過衝和EMI/雜訊
  • 高功率密度
  • 降低開關損耗
  • 符合Open Rack V3效率規格
  • 更高的可靠性和穩定性
同級最佳的RDS(on),降低振鈴、過衝和EMI/雜訊,更高的功率密度,降低開關損耗,符合Open Rack V3效率規格,更高的可靠性和穩定性。

PowerTrench®技術

  • T10S:減少50%開關損耗
  • TS專為更高的開關頻率打造
  • T10M:減少傳導耗損
  • TM專為更低的開關頻率打造
  • 減少30%至40%導通電阻
  • 減少2倍Qg、Qsw和Qoss
  • 軟恢復二極體和較低的Qrr
  • 提升10%的UIS功能

PowerTrench T10 MOSFET

導通電阻更低

小於1mΩ的RDS(on)

封裝尺寸更小

功率MOSFET每平方英寸含有數以千萬計晶胞

屏蔽閘極

屏蔽閘極可藉由超低閘極電荷實現極高效率的電力使用

受益的關鍵領域

AI資料中心

為能源密集的AI工作負載提供優異效率

汽車

符合AEC標準以滿足嚴謹的汽車標準,支援48V系統且發熱最低

太陽能

專為高效能逆變器將能源損耗降到最低,能有效轉換太陽能為可使用的AC電源

馬達驅動器

透過精確的功率等級滿足最佳效能,延長電池續航力,適用於電池供電的電動馬達

DC-DC電源轉換

可處理高電流,對DC-DC電源轉換級至關重要