onsemi 寬能隙碳化矽裝置
與矽裝置相比，安森美(onsemi)寬能隙 (WBG) 碳化矽 (SiC) 裝置採用全新技術，可提供出色的開關性能及更高的可靠性。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。onsemi的碳化矽產品系列包括650V和1200V二極體、650V和1200V IGBT以及碳化矽二極體功率整合模組 (PIM)、1200V MOSFET和碳化矽MOSFET驅動器以及符合AEC-Q100標準的裝置。
特點
- 開關速度更快
- 低功耗
- 低導通電阻
- 功率密度高
- 操作溫度更高
- 工作頻率更快
- 效率更高
- 無反向恢復電流
- 降低EMI
- 系統尺寸減小，成本降低
- 可靠性高
- 緊湊型解決方案
- 重量輕
- 卓越熱性能
- 獨立於溫度的開關特點
- 小巧的晶片尺寸可確保低電容及低閘極電荷
- 提供針對WBG解決方案的獨特生態系統：
- 針對耐用度的碳化矽二極體
- 針對耐用度和速度的碳化矽MOSFET
- 設計用於WBG裝置的碳化矽驅動器
- MOSFET及二極體的SPICE基礎實體模型
應用
- 太陽能升壓轉換器及逆變器
- 功率因素校正
- 電動汽車充電
- 不間斷電源 (UPS)
- 伺服器和電訊電源
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發佈日期: 2019-05-22
| 更新日期: 2024-05-24