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Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級

Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續電壓、100V脈衝電壓、35A半橋功率級，內建閘極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。LMG2100R044合裝了兩個100V GaN FET，由一個高頻90V GaN FET驅動器驅動，呈半橋配置。GaN FET在功率轉換方面具有顯著優勢，例如零反向恢復和最小輸入電容CISS和輸出電容COSS。

TI LMG2100R044功率級安裝在完全無鍵合線的封裝平台上，盡可能地減少了封裝寄生元件。LMG2100R044安裝在5.5mm x 4.5mm x 0.89mm無引綫封裝中，易於安裝在PCB上。

特點

  • 整合的4.4mΩ半橋GaN FET和驅動器
  • 90V連續、100V脈衝額定電壓
  • 封裝經過優化，方便PCB布局
  • 高轉換速率切換，低振鈴
  • 5V外部偏壓電源
  • 支援3.3V和5V輸入邏輯電平
  • 閘極驅動器開關能力可達10MHz
  • 低功率消耗
  • 傳播延遲（典型值33ns）和匹配速度（典型值2ns）俱佳
  • 內部自舉電源電壓鉗位防止 GaN FET過驅動
  • 電源軌欠電壓鎖定保護
  • 頂部暴露的QFN封裝讓頂部散熱
  • 大GND焊盤讓底部散熱

應用

  • 降壓、升壓、降壓–升壓轉換器
  • LLC轉換器
  • 光伏逆變器
  • 電訊和伺服器電源
  • 馬達驅動
  • 電動工具
  • D類音訊放大器

簡化方塊圖

結構圖 - Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級

傳播延遲和傳播失配測量

應用電路圖 - Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級

開發工具

Texas Instruments BOOSTXL-LMG2100-MD Power Stage Evaluation Module

This module implements a GaN inverter to control precision drives such as servo drives accurately.

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發佈日期: 2024-05-13 | 更新日期: 2025-04-16