Vishay / Siliconix SQJ汽車用MOSFET
Vishay/Siliconix SQJ汽車用MOSFET為TrenchFET® Gen IV N通道40 VDS功率MOSFET。這些MOSFET符合AEC-Q101標準，100%通过Rg和未壓接電感性開關(UIS)測試，低於1 Qgd/Qgs比率，切換特性經過最佳化。SQJ汽車用MOSFET具有非常低的RDS(on)，可在-55°C至175°C溫度範圍內作業。這些汽車級MOSFET採用PowerPAK® SO-8L封裝，分為單/雙組態。裝置的典型應用包括汽車、引擎管理、馬達驅動器和致動器，以及電池管理。
特點
- TrenchFET® Gen IV功率MOSFET
- 符合AEC-Q101標準
- 100%通過Rg與UIS測試
- Qgd/Qgs比率 <1，切換特性經過最佳化
- 接點接面與存放溫度範圍：-55°C至175°C
- 採用PowerPAK® SO-8L封裝，分為單/雙組態
應用
- 汽車
- 電池管理
- 引擎管理
- 馬達驅動器和致動器
相關MOSFET
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在4.5V電壓下可提供低至1.35mΩ的工業低導通電阻。
相關解決方案
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| 零件編號 | 規格書 | 通道數 | Vds - 漏-源擊穿電壓 | Id - C連續漏極電流 | Rds On - 漏-源電阻 | Qg - 閘極充電 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SQJ185ELP-T1_GE3 |  |
1 Channel | 80 V | 62 A | 19.5 mOhms | 46 nC |
| SQJ128ELP-T1_GE3 | |
1 Channel | 30 V | 437 A | 1.158 mOhms | 99 nC |
| SQJ140ELP-T1_GE3 | |
1 Channel | 40 V | 253 A | 2.14 mOhms | 58 nC |
| SQJ131ELP-T1_GE3 | |
1 Channel | 30 V | 300 A | 3 mOhms | 207 nC |
| SQJ443AEP-T1_GE3 | |
1 Channel | 40 V | 40 A | 8.1 mOhms | 38 nC |
| SQJ170ELP-T1_GE3 | |
1 Channel | 60 V | 63 A | 16.3 mOhms | 12 nC |
| SQJ186EP-T1_GE3 | |
1 Channel | 80 V | 60 A | 15 mOhms | 24 nC |
| SQJ444EP-T1_GE3 | |
1 Channel | 40 V | 60 A | 2.6 mOhms | 80 nC |
| SQJ500AEP-T1_BE3 | |
2 Channel | 40 V | 30 A | 9.2 mOhms, 27 mOhms | 25.5 nC, 30.2 nC |
| SQJ500AEP-T1_GE3 | |
2 Channel | 40 V | 30 A | 7.7 mOhms, 22 mOhms | 38.3 nC, 45 nC |
發佈日期: 2020-10-05
| 更新日期: 2024-12-13