Vishay / Siliconix TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^®第四代MOSFET是下一代TrenchFET^®系列功率MOSFET。TrenchFET第四代MOSFET在PowerPAK^® SO-8及1212-8S封裝中提供工業低電阻與低柵極總電荷。這些TrenchFET第四代MOSFET具有極低的R_DS(on)特性，轉化為更低的傳導損耗，從而降低功耗。TrenchFET MOSFET還配備了節省空間的PowerPAK^® 1212-8封裝，具有類似的效率，但體積只有它的三分之一。典型應用包括大功率DC/DC變換器、同步整流、太陽能微型逆變器及電機驅動開關。

TrenchFET MOSFET可用於廣泛的功率MOSFET，有多種高級封裝可供選擇，如-200V至800V擊穿電壓及1.2V寬範圍柵極驅動電壓。這些MOSFET進行優化，具有用於負荷開關應用的最低R_ds(on)，以及用於快速開關的最低柵極電荷與電容。此系列MOSFET可分為低壓與中壓TrenchFET。

低壓TrenchFET^®具有效率高、功率密度大及節省空間封裝的特點。這些是消費電子產品、無人機、電腦及電訊裝置的理想選擇。

中壓TrenchFET^®裝置小巧高效，可優化佈局，減少組件數量，並實現最高效率。這些是電源、電機驅動控制及可再生能源的理想選擇。

Vishay Siliconix SkyFET MOSFET也是Vishay Siliconix TrenchFET第四代功率MOSFET產品的一部分。