STF80N600K6

Name: STMicroelectronics STF80N600K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF80N600K6
Price: 130.49 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STF80N600K6

製造商編號：

STF80N600K6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

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規格書:

STF80N600K6 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220FP-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	800 V
Id - C連續漏極電流:	7 A
Rds On - 漏-源電阻:	600 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	10.7 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	23 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	12.6 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4.1 ns
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	28.2 ns
標準開啟延遲時間:	9 ns
每件重量:	1.690 g

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所選屬性: 0

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STF80N600K6 規格書 (PDF)

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合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.