STGW30H65FB

Name: STMicroelectronics STGW30H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW30H65FB
Price: 155.23 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STGW30H65FB

製造商編號：

STGW30H65FB

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

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規格書:

STGW30H65FB 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-247-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.75 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	30 A
Pd - 功率消耗 :	260 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STGW30H65FB
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic :	60 A
柵射極漏電電流:	250 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	600
子類別:	IGBTs
每件重量:	38 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STGW30H65FB 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 新加坡
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

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HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.