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RoHS

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STW10NK60Z

STMicroelectronics

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-STW10NK60Z

製造商編號：

STW10NK60Z

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

完成您的設計

規格書:

STW10NK60Z 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於STMicroelectronics STW10NK60Z的資訊

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	10 A
Rds On - 漏-源電阻:	750 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	50 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	156 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	SuperMESH
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	30 ns
互導 - 最小值:	7.8 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	20 ns
系列:	STW10NK60Z
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	55 ns
標準開啟延遲時間:	20 ns
每件重量:	6 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STW10NK60Z 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 新加坡
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

特色產品

STMICROELECTRONICS

STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET

Designed to ensure a high level of voltage and robustness for the automotive applications.

STL059N4S8AG Power MOSFET

A 40V N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in Smart STripFET F8 technology.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

800V, Zener-protected, 100% avalanche tested, and ideal for flyback converters and LED lighting.

STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs

AEC-Q101 qualified and offers a comprehensive package solution from 30V to 150V.

STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET

Uses MDmesh K6 technology, leveraging 20 years of experience in super junction technology.

庫存量: 545

庫存：: 545

可立即送貨

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在途量:: 600

預期2026/10/2
工廠前置作業時間：: 26

週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$194.31	NT$194.31
	NT$98.59	NT$985.90
	NT$89.98	NT$8,998.00
	NT$77.08	NT$46,248.00