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CSD19533KCS

Name: Texas Instruments CSD19533KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19533KCS
Price: 92.49 TWD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-CSD19533KCS

製造商編號：

CSD19533KCS

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET

規格書:

CSD19533KCS 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	100 A
Rds On - 漏-源電阻:	10.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.8 V
Qg - 閘極充電:	27 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	188 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Tube
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	2 ns
互導 - 最小值:	115 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	5 ns
系列:	CSD19533KCS
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	12 ns
標準開啟延遲時間:	7 ns
每件重量:	2 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CSD19533KCS 規格書

Images

PCN

Qualification of GTBF as Additional Assembly/Test Site for Select Devices (PDF)

SPICE Models

CSD19533KCS PSpice Model (Rev. B)

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 中國

出貨時，國家可能會有所變更。

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。