UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

結果: 23
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
規格書
694庫存量
800預期2026/12/28
帶狀裁切
NT$417.29
NT$295.05
NT$219.04
NT$207.21
捲
NT$207.21
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4
規格書
3,278庫存量
NT$709.83
NT$424.82
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2
規格書
355庫存量
帶狀裁切
NT$457.80
NT$262.78
NT$241.99
NT$229.08
捲
NT$229.08
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
規格書
217庫存量
NT$1,053.27
NT$786.19
NT$783.32
NT$702.30
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
規格書
627庫存量
NT$441.31
NT$252.74
NT$234.46
NT$224.42
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
規格書
902庫存量
NT$919.91
NT$591.53
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
規格書
1,166庫存量
NT$699.43
NT$416.94
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
規格書
610庫存量
NT$1,057.93
NT$702.30
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4
規格書
583庫存量
NT$462.47
NT$259.55
NT$240.91
NT$231.59
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
規格書
1,142庫存量
NT$758.59
NT$462.82
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220
規格書
475庫存量
NT$429.84
NT$247.72
NT$229.08
NT$213.31
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
規格書
1,252庫存量
帶狀裁切
NT$422.31
NT$243.42
NT$221.19
NT$209.36
捲
NT$209.36
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7
規格書
199庫存量
帶狀裁切
NT$483.26
NT$280.71
NT$261.71
NT$247.72
捲
NT$247.72
最少： 1
倍數： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
規格書
643庫存量
800預期2026/11/30
帶狀裁切
NT$331.61
NT$181.76
NT$167.06
NT$157.74
捲
NT$157.74
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
規格書
637庫存量
NT$759.30
NT$463.18
最少： 1
倍數： 1
最大： 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO26
規格書
591庫存量
帶狀裁切
NT$689.40
NT$432.35
NT$409.41
捲
NT$409.41
最少： 1
倍數： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO2
規格書
344庫存量
600預期2026/11/23
NT$424.46
NT$239.48
NT$221.19
NT$210.08
最少： 1
倍數： 1
最大： 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
規格書
63庫存量
NT$500.47
NT$279.63
NT$270.67
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
規格書
62庫存量
NT$968.31
NT$595.11
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4
規格書
1,200預期2026/11/4
NT$970.82
NT$777.23
NT$672.19
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
規格書
1,000預期2026/10/26
NT$731.34
NT$438.09
NT$418.01
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
規格書
300預期2027/1/22
NT$416.22
NT$283.93
NT$236.61
NT$210.80
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
帶狀裁切
NT$905.93
NT$612.68
捲
NT$612.68
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET