CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V Silicon Carbide (SiC) G2 MOSFETs are offered in a TO-247PLUS-4 reflow package. These Infineon MOSFETs are ideal for high-output power applications such as Electric Vehicle (EV) charging, Battery Energy Storage Systems (BESS), Commercial / Construction / Agricultural Vehicles (CAV), and more. The CoolSiC™ MOSFET G2 1400V technology is a cutting-edge technology offering improved thermal performance, increased power density, and enhanced reliability. The package features reflow capability (3x reflow soldering possible), enabling lower thermal resistance.

結果: 11
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
規格書
168庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
規格書
152庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
規格書
342庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
規格書
15庫存量
480在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
規格書
126庫存量
240預期2027/5/27
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
規格書
565庫存量
最少： 1
倍數： 1

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC DISCRETE
規格書
190庫存量
最少： 1
倍數： 1

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC DISCRETE
規格書
224庫存量
最少： 1
倍數： 1

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
規格書
189庫存量
最少： 1
倍數： 1

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC DISCRETE
規格書
230庫存量
最少： 1
倍數： 1

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC DISCRETE
規格書
220庫存量
最少： 1
倍數： 1

CoolSiC