NVT201xN0 M2 SiC N通道MOSFET

與現有Si技術相比，安森美 (onsemi) NVT201xN0 M2 SiC N通道MOSFET可提供更高的電壓運作、更寬的溫度範圍，以及更高的切換頻率。這些MOSFET具有低有效輸出電容和超低閘極電荷，從而實現更低的切換損耗和更高的切換速度能力。安森美 (onsemi) NVT201xN0 M2 SiC N通道MOSFET通過100% UIS測試，並符合AEC-Q101標準。