結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 710庫存量
2,000在途量
帶狀裁切
NT$1,305.30
NT$970.82
NT$970.46
NT$926.72
捲
NT$919.55
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,143庫存量
1,000預期2026/10/19
帶狀裁切
NT$977.63
NT$682.94
NT$665.02
NT$629.88
捲
NT$596.19
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245庫存量
帶狀裁切
NT$585.43
NT$350.61
NT$350.25
捲
NT$331.61
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,609庫存量
帶狀裁切
NT$472.50
NT$287.16
NT$282.86
捲
NT$271.74
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 528庫存量
帶狀裁切
NT$343.08
NT$189.29
NT$174.23
NT$172.80
捲
NT$154.51
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 61庫存量
4,000在途量
帶狀裁切
NT$209.01
NT$109.70
NT$100.02
NT$90.34
捲
NT$85.32
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 4,905庫存量
帶狀裁切
NT$188.93
NT$98.23
NT$89.27
NT$78.87
捲
NT$78.51
最少: 1
倍數: 1
最大: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 130庫存量
1,000預期2026/12/10
帶狀裁切
NT$404.75
NT$231.23
NT$207.93
捲
NT$196.82
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 26庫存量
2,000預期2027/6/10
帶狀裁切
NT$301.50
NT$162.76
NT$149.14
NT$144.12
捲
NT$127.27
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000在途量
帶狀裁切
NT$696.21
NT$438.09
NT$427.33
NT$416.94
捲
NT$409.41
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000預期2027/2/18
帶狀裁切
NT$244.86
NT$130.14
NT$119.38
NT$111.49
捲
NT$105.40
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement