結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,590庫存量
1,000在途量
帶狀裁切
NT$1,385.24
NT$1,130.35
NT$998.78
NT$993.05
捲
NT$932.46
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2,011庫存量
帶狀裁切
NT$995.91
NT$687.96
NT$686.17
NT$648.53
捲
NT$605.15
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245庫存量
帶狀裁切
NT$638.49
NT$486.48
NT$405.46
NT$361.37
捲
NT$337.35
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,603庫存量
帶狀裁切
NT$485.05
NT$296.12
NT$290.39
捲
NT$276.40
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 502庫存量
1,000預期2027/5/6
帶狀裁切
NT$336.27
NT$229.80
NT$189.29
NT$168.85
捲
NT$158.10
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3,615庫存量
帶狀裁切
NT$188.93
NT$98.23
NT$89.27
NT$78.87
捲
NT$78.51
最少: 1
倍數: 1
最大: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79庫存量
1,000預期2026/12/31
帶狀裁切
NT$409.05
NT$289.31
NT$240.91
NT$214.74
捲
NT$200.76
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 39庫存量
2,000預期2027/7/8
帶狀裁切
NT$294.33
NT$207.21
NT$167.78
NT$149.14
捲
NT$131.93
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 198庫存量
4,000在途量
帶狀裁切
NT$231.59
NT$151.65
NT$111.85
NT$99.30
捲
NT$87.83
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1,999預期2026/11/19
帶狀裁切
NT$728.47
NT$544.20
NT$470.71
NT$445.62
捲
NT$416.22
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000預期2026/12/3
帶狀裁切
NT$255.97
NT$171.36
NT$137.66
NT$122.25
捲
NT$108.27
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement