1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers

Infineon Technologies 1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers are EconoPIM™ 2 1200V, 100A three-phase PIM IGBT modules. The rectifiers feature TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with the integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. 

結果: 7
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 35 A PIM IGBT module
規格書
33庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray


Infineon Technologies IGBT 模組 LOW POWER ECONO
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray


Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 50 A PIM IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray


Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 75 A PIM IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 35 A PIM IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 15
倍數： 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 50 A PIM IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 15
倍數： 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 75 A PIM IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 15
倍數： 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray