M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

結果: 46
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
800庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
724庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 30 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
424庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
390庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 163 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
448庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 19 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
398庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 32 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
445庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
規格書
366庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET 60MOHM
規格書
204庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
1,547庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V
規格書
475庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET 20MOHM 900V
規格書
194庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
380庫存量
最少： 1
倍數： 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
36庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
8庫存量
450預期2027/6/4
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET 20MOHM 900V
規格書
279庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
444庫存量
最少： 1
倍數： 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
864庫存量
最少： 1
倍數： 1
TO-247-4 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V
規格書
1,800工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 450
倍數： 450

TO-247-4 EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
3,600工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 450
倍數： 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
規格書
無庫存前置作業時間 53 週
最少： 450
倍數： 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC