TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes exhibit the chip design of 2nd generation and come in TRS6E65F and TRS8E65F variants. The TRSxE65F diodes feature high surge current, small junction capacitance, and small reverse current. These diodes are available in 10.05mm x 15.3mm x 4.45mm dimensions. The Toshiba TRSxE65F Schottky barrier diodes are ideal for power factor correction, uninterruptible power supplies, and DC-DC converters.

結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
配置
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最高工作溫度
封裝
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 V=650 IF=8A
規格書
7庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 RECT 650V 2A RDL SIC SKY
規格書
168庫存量
300預期2026/8/17
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 V=650 IF=6A
規格書
96預期2026/9/21
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 RECT 650V 10A RDL SIC SKY
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 RECT 650V 12A RDL SIC SKY
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 RECT 650V 3A RDL SIC SKY
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 RECT 650V 4A RDL SIC SKY
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube