MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 56W to 288W (Tc = 25°C) and continuous drain current of 10.5A to 53A (Tc = 25°C). The MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247AD 3L, TO-247AD 4L, and TO-263 7L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

結果: 17
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
800預期2026/10/14
最少： 1
倍數： 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
600預期2026/10/14
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
600預期2026/10/14
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
799預期2026/10/28
最少： 1
倍數： 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
599預期2026/10/28
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
799預期2026/10/28
最少： 1
倍數： 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
583預期2026/10/28
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
600預期2027/1/20
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
800預期2027/1/20
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
600預期2027/2/17
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
800預期2026/10/28
最少： 1
倍數： 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
600預期2026/10/28
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
800預期2026/11/18
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
600預期2026/10/28
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
800預期2026/11/18
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
600預期2026/10/28
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
600預期2027/2/17
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement