結果: 8
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 593庫存量
480預期2026/10/14
NT$748.55
NT$540.62
NT$469.64
NT$448.48
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 1,335庫存量
NT$664.30
NT$457.45
NT$395.07
NT$368.18
NT$350.97
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 683庫存量
240預期2026/10/26
NT$449.56
NT$248.44
NT$235.18
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 627庫存量
NT$364.24
NT$196.82
NT$181.76
NT$181.40
NT$178.53
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 9庫存量
960在途量
NT$954.33
NT$611.60
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 229庫存量
720預期2026/10/14
NT$559.26
NT$319.42
NT$297.20
NT$295.76
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 5庫存量
960在途量
NT$340.93
NT$183.19
NT$168.85
NT$150.93
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
1,992在途量
NT$443.11
NT$249.16
NT$227.65
NT$217.97
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC