結果: 31
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 晶體管極性 技術 Id - C連續漏極電流 Vds - 漏-源擊穿電壓 操作頻率 增益 輸出功率 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V 無庫存前置作業時間 15 週
最少: 1
倍數: 1
: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V 無庫存前置作業時間 15 週
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

N-Channel Si 4 A 40 V 520 MHz 13 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V 無庫存前置作業時間 15 週
最少: 1
倍數: 1
: 50

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.215 GHz 20.3 dB 275 W + 150 C Screw Mount NI-780 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V 無庫存前置作業時間 15 週
最少: 1
倍數: 1
: 50

N-Channel Si 110 V 1.215 MHz to 960 MHz 19.7 dB 500 W + 150 C Screw Mount NI-780H-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V 無庫存前置作業時間 15 週
最少: 1
倍數: 1
: 50

N-Channel Si 2 A 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V 無庫存前置作業時間 15 週
最少: 1
倍數: 1
: 50

N-Channel Si 110 V 20 dB 1 kW + 150 C Screw Mount NI-1230-4 Reel, Cut Tape