iS20M028S1C-7SR

Name: iDEAL Semiconductor iS20M028S1C-7SR
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M028S1C-7SR
Price: 130.85 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

25-IS20M028S1C-7SR

製造商編號：

iS20M028S1C-7SR

製造商：

iDEAL Semiconductor

說明：

MOSFET

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

iS20M028S1C-7SR 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	iDEAL Semiconductor
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PDFN-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	200 V
Id - C連續漏極電流:	45 A
Rds On - 漏-源電阻:	25 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.6 V
Qg - 閘極充電:	27.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	125 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	SuperQ
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	iDEAL Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	12.7 ns
互導 - 最小值:	14 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	2 ns
原廠包裝數量:	100
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	28 ns
標準開啟延遲時間:	9.3 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

iS20M028S1C-7SR 規格書 (PDF)

Product Catalogs

Aerospace and Defense (PDF)

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET is designed for SMPS and high-efficiency motor drives. The 200V MOSFET features ultra-low conduction and switching losses in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm. The iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ 200V N-Ch Power MOSFET supplies superior R_DS(on) and Q_SW, while minimizing heat dissipation at both full and partial loads.