SiC肖特基功率二極體

Vishay Semiconductors 碳化矽 (SiC) 肖特基功率二極體是先進的高性能整流器，專為在嚴苛的電力電子應用中提供卓越的效率、堅固性及可靠性而設計。基於寬禁帶SiC技術，這些Vishay二極體具備近乎為零的逆向恢復電荷、極快的切換能力以及不受溫度影響的性能，使其成為新一代高頻電力轉換系統的理想選擇。

結果: 45
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
配置
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最低工作溫度
最高工作溫度
Vr - 反向電壓
系列
封裝
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
760預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2202L
規格書
925預期2027/1/11
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2202L
規格書
1,000預期2027/2/5
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2473L
規格書
475預期2027/2/8
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2473L
規格書
490預期2027/2/5
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2472L
規格書
475預期2026/10/23
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2472L
規格書
500預期2026/10/23
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
794預期2026/10/23
最少： 1
倍數： 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/10/23
最少： 1
倍數： 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2202L
規格書
1,000預期2026/10/23
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2202L
規格書
1,000預期2026/10/23
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
735預期2026/10/2
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C08ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/10/23
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C08ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2202L
規格書
925預期2026/10/23
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2202L
規格書
1,000預期2026/10/23
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2472L
規格書
500預期2027/2/8
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C10EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800在途量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2472L
規格書
500預期2027/2/15
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16EP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2472L
規格書
500預期2027/2/8
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16EP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
780預期2027/2/12
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape