Photodiodes

Advanced Photonix delivers a comprehensive portfolio of high-performance photodiodes and optical sensors engineered for precision detection across ultraviolet, visible, and near-infrared wavelengths. These devices are trusted across aerospace and defense, medical and life sciences, industrial, and test and measurement markets.

結果: 135
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 封裝/外殼 安裝風格 峰值波長 暗電流 Vr - 反向電壓 上升時間 下降時間 半強度角度 最低工作溫度 最高工作溫度 系列
Advanced Photonix 光電二極體 100 mm sq. active area silicon photodiode, transimpedance amplifier combination 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 50
倍數: 50

Photodiodes TO-5 2 nA 30 V 0 C + 70 C Photop
Advanced Photonix 光電二極體 Surface Mount Photodiode 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000

PIN Photodiodes SMD/SMT 500 pA 50 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix 光電二極體 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

Photodiodes TO-46 Through Hole 1700 nm 600 pA 20 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix 光電二極體 暫無庫存
最少: 120
倍數: 40

Photodiodes TO-46 Through Hole 1700 nm 600 pA 20 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix 光電二極體 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000

Photodiodes 1206 SMD/SMT 1100 nm 500 pA 50 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix 光電二極體 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

PIN Photodiodes TO-46 Through Hole 1100 nm 500 pA 50 V 72 ns 72 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix 光電二極體 暫無庫存
最少: 120
倍數: 40

PIN Photodiodes TO-46 Through Hole 1100 nm 8 nA 75 V 190 ns 190 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix 光電二極體 暫無庫存
最少: 120
倍數: 40

Photodiodes TO-46 Through Hole 1700 nm 500 pA 20 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix 光電二極體 暫無庫存
最少: 100
倍數: 1

Photodiodes TO-5 Through Hole 1100 nm 600 pA 50 V 65 ns 65 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix 光電二極體 PIN Photodiode 暫無庫存
最少: 50
倍數: 50

PIN Photodiodes 0.25 uA 1 us - 10 C + 60 C
Advanced Photonix 光電二極體 Red Enhanced Photodiode Assembly 暫無庫存
最少: 120
倍數: 40

Photodiodes TO-5 Through Hole 1100 nm 10 nA - 40 C + 85 C
Advanced Photonix 光電二極體 16-element silicon photodiode array on PCB 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 50
倍數: 50

Photodiodes SMD/SMT - 30 C + 85 C Multi-Element Array
Advanced Photonix 光電二極體 76-element silicon photodiode array on ceramic 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 10
倍數: 10

Photodiodes SMD/SMT - 30 C + 85 C Multi-Element Array
Advanced Photonix 光電二極體 35-element silicon photodiode array on ceramic 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 25
倍數: 25

Photodiodes DIP-40 Through Hole 50 pA - 30 C + 85 C Multi-Element Array
Advanced Photonix 光電二極體 38-element silicon photodiode array on ceramic 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 25
倍數: 25

Photodiodes DIP-40 Through Hole 50 pA - 30 C + 85 C Multi-Element Array
Advanced Photonix 光電二極體 38-element low noise silicon photodiode array on ceramic 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 25
倍數: 25

Photodiodes DIP-40 Through Hole - 30 C + 85 C Multi-Element Array
Advanced Photonix 光電二極體 暫無庫存
最少: 40
倍數: 40

Avalanche Photodiodes TO-46-3 Through Hole 1550 nm 80 nA 0.8 ns - 40 C + 85 C
Advanced Photonix 光電二極體 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000

Photodiodes 1206 (3215 metric) SMD/SMT 200 pA 20 V 65 deg - 40 C + 100 C
Advanced Photonix 光電二極體 暫無庫存
最少: 120
倍數: 40

Photodiodes TO-46-2 Through Hole 275 nm 300 pA 20 V - 40 C + 125 C
Advanced Photonix 光電二極體 暫無庫存
最少: 120
倍數: 40

PIN Photodiodes TO-5-2 Through Hole 5 nA 100 V - 40 C + 85 C
Advanced Photonix 光電二極體 暫無庫存
最少: 500
倍數: 500

Photodiodes TO-5-3 Through Hole 2 nA 30 V 0.5 us - 40 C + 80 C
Advanced Photonix 光電二極體 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 25
倍數: 25

Photodiodes TO-5 Through Hole 50 nA 7 V - 40 C + 125 C
Advanced Photonix 光電二極體 3.0 mm diameter InGaAs Photodiode 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 10
倍數: 10

Photodiodes Through Hole 2 V - 40 C + 75 C FCI-InGaAs
Advanced Photonix 光電二極體 1mm dia InGaAs Quadrant PIN 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

Photodiodes Through Hole 0.5 nA 15 V 3 ns 3 ns - 40 C + 75 C
Advanced Photonix 光電二極體 3mm dia InGaAs Quadrant PIN 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

Photodiodes Through Hole 2 nA 10 V 24 ns - 40 C + 75 C