結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
通道模式
公司名稱
技術
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
規格書
16,222庫存量
6,000預期2026/11/4
帶狀裁切
NT$276.05
NT$150.21
NT$137.66
NT$130.85
NT$116.51
捲
NT$100.74
最少： 1
倍數： 1
: 3,000
SMD/SMT QFN-5 N-Channel 1 Channel 100 V 101 A 1.2 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 17 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET GaN
EPC EPC2367A
EPC 氮化鎵場效應管 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives.
規格書
暫無庫存
NT$253.46
NT$169.57
NT$136.23
NT$121.17
NT$97.15
最少： 1
倍數： 1