TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

分離式半導體的類型
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說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
1,425庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
1,270庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
規格書
615庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
規格書
279庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
規格書
382庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
規格書
396庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 40 A 3-level IGBT module
規格書
8庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
規格書
480庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 240
倍數： 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 240
倍數： 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4