AFGHL50T65SQDC

Name: onsemi AFGHL50T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65SQDC
Price: 428.77 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-AFGHL50T65SQDC

製造商編號：

AFGHL50T65SQDC

製造商：

onsemi

說明：

IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

規格書:

AFGHL50T65SQDC 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	SiC
封裝/外殼:	TO-247-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.6 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	100 A
Pd - 功率消耗 :	268 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	AFGHL50T65SQDC
資格:	AEC-Q101
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
集電極最大連續電流Ic :	100 A
柵射極漏電電流:	400 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	30
子類別:	IGBTs
公司名稱:	EliteSiC
每件重量:	7.326 g

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規格書

AFGHL50T65SQDC 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT

onsemi AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT offers optimum performance with both low conduction and switching losses. The AFGHL50T65SQDC features 50A current and 650V collector to emitter voltage. The device is ideal for high-efficiency operations in various applications, specifically totem pole bridgeless PFC and inverters. The AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT is AEC-Q100 qualified for automotive applications.