650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
規格書
7,157庫存量
帶狀裁切
NT$219.40
NT$115.44
NT$106.47
捲
NT$106.47
報價
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
規格書
4,670庫存量
帶狀裁切
NT$178.53
NT$92.13
NT$83.89
NT$73.13
捲
NT$68.83
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 170 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI
規格書
76庫存量
NT$208.65
NT$136.59
NT$100.74
NT$89.27
NT$79.23
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 155 mOhms 30 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
規格書
96庫存量
NT$191.80
NT$125.48
NT$93.57
NT$78.51
檢視
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 190 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
規格書
59預期2026/12/25
NT$241.63
NT$150.21
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
NT$257.76
NT$140.89
NT$128.70
NT$107.91
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
捲
NT$59.15
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 210 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel