1200V CoolSiC™模組

英飛凌科技1200V CoolSiC™模組為具備出色效率與系統彈性等級的碳化矽 (SiC) MOSFET模組。這些模組採用近閾值電路 (NTC) 和PressFIT接點技術。此CoolSiC模組具有高電流密度、同級最佳的切換和傳導損耗以及低電感設計的特點，可提供高頻運作、更高的功率密度，以及經過最佳化的開發週期時間與成本。

分離式半導體的類型
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結果: 36
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
規格書
3庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
規格書
4庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
規格書
10庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY
規格書
12庫存量
最少： 1
倍數： 1
MOSFET Modules SiC Press Fit Module
Infineon Technologies 二極管模組 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module
規格書
21庫存量
最少： 1
倍數： 1

Diode Modules SiC Screw Mount
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
規格書
72預期2026/9/2
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies MOSFET模組 Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
規格書
120在途量
最少： 1
倍數： 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies 整流器 THYR / DIODE MODULE DK
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 2
倍數： 2

Rectifier Diode Module Screw Mount Non-standard
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 離散半導體模組 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 12
倍數： 12

Discrete Semiconductor Modules SiC
Infineon Technologies IGBT 模組 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
規格書
無庫存前置作業時間 44 週
最少： 12
倍數： 12

IGBT Modules SiC, Si